Autoensamblaje de nanoestructuras semiconductoras
Self Assembly of semiconductor nanostructures
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En este trabajo presentamos el crecimiento y la caracterización de hilos cuánticos autoensamblados de GaAs (SAQWRs) y puntos cuánticos autoensamblados de InAs (SAQDs) mediante epitaxia de haces moleculares sobre sustratos de GaAs orientados a (631). Los adátomos en el plano cristalino (631) presentan una fuerte anisotropía de difusión superficial que utilizamos para inducir el crecimiento preferencial a lo largo de una dirección para producir SAQWRs. Por otra parte, se obtuvieron SAQDs de InAs sobre GaAs(631) con SAQWRs mediante el método de crecimiento de Stransky-Krastanov (S-K). Los SAQDs crecidos directamente sobre sustratos de (631) presentaron considerables fluctuaciones de tamaño. Estudiamos los efectos de hacer crecer una capa estresante antes de la formación de los SAQDs para reducir estas fluctuaciones.
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